[发明专利]光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法在审
| 申请号： | 201210061098.2 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102592991A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 彭精卫;王敬平 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法。根据本发明的光刻胶去除方法包括：将带有光刻胶的硅片从刻蚀腔室转移至去胶腔室；此后，在不点火的情况下在去胶腔室中通入氧气；随后，点火开始去胶过程。通过采用根据本发明的光刻胶去除方法，在点火之前通入氧气，使硅片和光刻胶的上升到一定的温度以实现足够的蚀刻速率，并且使得作为助燃气体的氧气可以和作为燃烧物的光刻胶充分接触，从而在点火开始以后的去胶过程由于硅片已经升温并且氧气和光刻胶充分混合而使得光刻胶的燃烧充分完成，由此有效地避免了光刻胶残留的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 去除 方法 金属线 刻蚀 以及 集成电路 制造 | ||
【主权项】：
一种光刻胶去除方法，其特征在于包括：将带有光刻胶的硅片从刻蚀腔室转移至去胶腔室；此后，在不点火的情况下在去胶腔室中通入氧气；随后，点火开始去胶过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
