[发明专利]存储元件和存储装置无效
| 申请号： | 201210061233.3 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683349A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 大场和博;曾根威之;紫牟田雅之;保田周一郎 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在低电压和低电流下工作时可提高写入和擦除特性的存储元件和存储装置。所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其设置于第一电极侧；离子源层，其设置于第二电极侧；中间层，其设置于电阻变化层和离子源层之间；以及阻挡层，其设置于离子源层和中间层之间以及中间层和电阻变化层之间的至少一处，并且所述阻挡层包含过渡金属或其氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其依次包括第一电极、存储层和第二电极，其中，所述存储层包括：电阻变化层，其设置于所述第一电极侧；离子源层，其设置于所述第二电极侧；中间层，其设置于所述电阻变化层和所述离子源层之间；以及阻挡层，其设置于所述离子源层和所述中间层之间以及/或者所述中间层和所述电阻变化层之间，并且所述阻挡层包含过渡金属或其氮化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
