[发明专利]晶体管及其制造方法以及功率转换系统无效
| 申请号： | 201210061502.6 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683409A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 汉密尔顿·卢;拉兹洛·利普赛依 | 申请（专利权）人： | 凹凸电子（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管及其制造方法，以及一种功率转换系统。其中所述晶体管包括：外延层以及至少一个沟槽，其中所述沟槽的横截面为圆形，所述沟槽包括由外延层确定的沟槽表面、积淀在沟槽表面的栅氧化层以及积淀在沟槽内的栅导通区。晶体管的制造方法包括：在衬底上生长外延层；在外延层上积淀氧化层；在氧化层上积淀并图案化光刻胶；以及刻蚀氧化层和所述外延层以形成至少一个横截面为圆形的沟槽，其中所述沟槽表面由所述外延层确定；在沟槽表面生长第二氧化层；在至少一个沟槽内形成栅导通区。所述功率转换系统包括至少一个开关，所述开关包括上述晶体管。本发明的晶体管具有较高的击穿电压，较低的RDSON和阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 以及 功率 转换 系统 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：外延层；以及至少一个沟槽，其中所述沟槽的横截面为圆形，所述沟槽包括由所述外延层确定的沟槽表面、积淀在所述沟槽表面的栅氧化层、以及积淀在所述沟槽内的栅导通区。
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