[发明专利]一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器无效
| 申请号： | 201210061698.9 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102593719A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 崔碧峰;计伟;陈京湘;郭伟玲;张松;王晓玲 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台两侧光栅结构的引入改善了有源区光场分布，抑制了注入电流的横向扩展，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 有源 区光场 分布 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种改善有源区光场分布的边发射半导体激光器，其特征在于：依次包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的外延片结构；且利用湿法腐蚀将外延片两侧腐蚀P型欧姆接触层到P型限制层，深度范围为：400nm‑600nm，从而形成脊形台，在脊形台两侧腐蚀出具有周期性的光栅结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210061698.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种玛钢管件攻丝机自动装卡送料装置
- 下一篇：微创经皮肾镜用扩张止血造瘘管
