[发明专利]内置菲涅耳透镜的图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 201210061931.3 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102569327B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 孔蔚然 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种内置菲涅耳透镜的图像传感器及其制造方法,所述图像传感器包括多个菲涅耳透镜以及多个感光元件,所述菲涅耳透镜和感光元件一一对应设置。本发明将菲涅耳透镜集成到图像传感器中,所述菲涅耳透镜和感光元件一一对应设置,利用菲涅耳透镜替代了传统的微透镜,制造工艺简单,且能够提高图像传感器的填充系数。 | ||
搜索关键词: | 内置 菲涅耳 透镜 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种内置菲涅耳透镜的图像传感器,其特征在于,包括多个菲涅耳透镜以及多个感光元件,所述菲涅耳透镜和感光元件一一对应设置;所述多个菲涅耳透镜的形成步骤包括:在衬底上形成第一材料层;刻蚀所述第一材料层形成多个凹槽,所述凹槽为矩形凹槽,所述凹槽贯穿所述第一材料层以暴露所述衬底的表面;在所述衬底和凹槽中沉积第二材料层;以及进行化学机械研磨工艺以去除衬底上的第二材料层,仅保留凹槽内的第二材料层,形成菲涅耳透镜;其中,所述菲涅耳透镜的光栅尺寸取决于第一材料层和第二材料层的折射率以及入射光线的波长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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