[发明专利]图像传感器顶层刻蚀方法以及图像传感器有效
| 申请号： | 201210061943.6 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102592984A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;包德君;黄庆丰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了图像传感器顶层刻蚀方法以及图像传感器。在根据本发明的图像传感器顶层刻蚀方法中，所述图像传感器包括感光区域、遮光区域以及外围电路，其中所述遮光区域以及所述外围电路依次布置在所述感光区域的两侧；所述图像传感器顶层刻蚀方法包括：在互联层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成顶层层间介质层；在所述顶层层间介质层上沉积第二钝化层；执行第一刻蚀步骤，以利用掩膜版刻蚀所述顶层层间介质层和所述第二钝化层，由此暴露了所述感光区域上的所述第一钝化层；不利用任何掩膜，在整个芯片上覆盖第三钝化层；以及执行第二刻蚀步骤，利用与所述第一刻蚀步骤相同的掩膜版对所述第三钝化层进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 顶层 刻蚀 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种图像传感器顶层刻蚀方法，所述图像传感器包括感光区域、遮光区域以及外围电路，其中所述遮光区域以及所述外围电路依次布置在所述感光区域的两侧；其特征在于所述图像传感器顶层刻蚀方法包括：在互联层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成顶层层间介质层；在所述顶层层间介质层上沉积第二钝化层；执行第一刻蚀步骤，以利用掩膜版刻蚀所述顶层层间介质层和所述第二钝化层，由此暴露了所述感光区域上的所述第一钝化层；不利用任何掩膜，在整个芯片上覆盖第三钝化层；以及执行第二刻蚀步骤，利用与所述第一刻蚀步骤相同的掩膜版对所述第三钝化层进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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