[发明专利]半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210061944.0 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683426A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 竹中一马;新谷幸弘 | 申请（专利权）人： | 横河电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;G01B7/16;G01L1/22;G01L9/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置、应变仪、压力传感器及半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置，其具有因外力的作用而使半导体的电阻值变化的压电电阻体，其特征在于，具有作为上述半导体起作用的被氢终端化的金刚石表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 应变 压力传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有压电电阻体，该压电电阻体因外力的作用而使半导体的电阻值变化，其特征在于，具有作为上述半导体起作用的被氢终端化的金刚石表面。
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