[发明专利]通孔形成方法有效
申请号: | 201210063066.6 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102592986B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 王伟军 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种通孔形成方法,在通孔刻蚀工艺中对刻蚀设备的上和/或下电极温度进行动态调整,可以调节刻蚀过程中聚合物的产生量,扩大通孔底部的线宽,获得较为垂直的形貌,增大工艺窗口,避免刻蚀停止现象,保持电性能的稳定。在此过程中,将电极温度作为新的工艺参数,仅需对工艺菜单作局部调整,没有增加新的工艺流程,不会对产能和生产成本造成明显影响。 | ||
搜索关键词: | 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种通孔形成方法,其特征在于,包括:在一衬底上形成膜层结构;对所述膜层结构进行光刻、刻蚀工艺,以形成具有通孔的图形化结构;其中,在所述刻蚀工艺过程中动态调整刻蚀设备的上和/或下电极温度;其中,调整所述下电极温度的上升随时间的变化为非线性或线性的,上电极保持不变或下降;或者调整所述上电极温度的下降随时间的变化为非线性或线性的,下电极保持不变,从而使刻蚀工艺初始阶段的通孔内反应副产物沉积量增多,并且使刻蚀工艺后期的通孔内反应副产物沉积量减少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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