[发明专利]用于超高密度探针存储的多层相变薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210063074.0 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102627004A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 付永忠;王权 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B15/00;C23C28/00;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/14;C23C16/26;C23C16/505 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种用于超高密度探针存储的多层相变薄膜及其制备方法，多层相变薄膜顶层是厚度为8-12nm的类金刚石膜保护层、底层是厚度为10-15nm、铜和钨重量比为15:85的铜钨合金薄膜电极层、中间是厚度为25-45nm的碲基合金薄膜相变层；采用直流-射频磁控溅射一体化设备制备电极层和相变层，旋转转盘使基片位于靶材正上方，对真空室抽真空并通入氩气，溅射完成后再抽真空并打开加热电阻加热后原位退火；将溅射有电极层和相变层的基片取出放入等离子体增强化学气相沉积室中，通入甲烷和硼烷进行气相沉积，类金刚石膜生长完成后取出，放入到180℃退火炉中退火；能有效避免导电层氧化，提高多层纳米薄膜表面质量、存储密度、存储寿命及功耗，且提高制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超高 密度 探针 存储 多层 相变 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于超高密度探针存储的多层相变薄膜，其特征是：该多层纳米薄膜的顶层是保护层（5）、底层是电极层（3）、中间层是相变层（2）；电极层（3）是厚度为10‑15nm、铜和钨重量比为15:85的铜钨合金薄膜，相变层（2）是厚度为25‑45nm的碲基合金薄膜，保护层（5）是厚度为8‑12nm的类金刚石膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏大学，未经江苏大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210063074.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
