[发明专利]采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法有效
| 申请号： | 201210063511.9 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102534775A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 叶宁;吴少凡;苏伟平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法。在石英坩埚底部成核区域放置与溴化镧晶体结构参数与对称性相似的晶体材料制成的籽晶，籽晶材料与溴化镧不发生化学反应，且熔点高于溴化镧晶体。采用坩锅下降法生长晶体，在原料熔化阶段通过两段控温，上冷下热，提高熔体的对流，坩锅下降过程中，溴化镧优先在籽晶表面成核，生长方向且与籽晶的结晶学方向一致，继续生长得到所需方向的溴化镧晶体。该方法的优点在于：可以选择空气中稳定的晶体材料作为籽晶，避免采用溴化镧晶体作为籽晶带来的加工和无水操作的困难；同时相对于无籽晶的自发成核生长方法，大大提高了晶体定向生长的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 籽晶 生长 掺铈溴化镧 闪烁 晶体 方法 | ||
【主权项】：
采用异相籽晶生长掺铈溴化镧闪烁晶体的方法，其特征在于：采用与溴化镧晶体结构参数与对称性相似的晶体材料制成的籽晶制备掺铈溴化镧闪烁晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210063511.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于改善反刍动物健康和/或性能的菌株和方法
- 下一篇：摩擦式蒜泥器
