[发明专利]具有电阻电路的半导体装置有效
申请号: | 201210063849.4 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN102683344A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 原田博文 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明涉及具有电阻电路的半导体装置。其课题是提供由高电阻/高精度的电阻元件构成的电阻电路。作为解决手段,在由薄膜化为 |
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搜索关键词: | 具有 电阻 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种具有电阻电路的半导体装置,其具有电阻电路和绝缘栅场效应晶体管,所述电阻电路包括:由设置在半导体衬底的表面上的分离用氧化膜上所配置的第一薄膜构成的电阻元件;形成在所述电阻元件上的第二薄膜;形成在所述第二薄膜上的中间绝缘膜;设置在所述中间绝缘膜中的、所述电阻元件上的接触孔,其贯通所述第二薄膜,深度到达所述第一薄膜;以及形成在所述接触孔上的金属配线,所述绝缘栅场效应晶体管设置在所述半导体衬底的、周围被所述分离用氧化膜包围的区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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