[发明专利]逆导型IGBT半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210064065.3 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103035691A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型IGBT半导体器件，在硅基片的背面形成有沟槽，该沟槽将场阻断层分割层一个三维结构，这样不仅能够增加场阻断层的深度，还能提高场阻断层的激活效率。在沟槽中形成有快速恢复二极管的第一电极区，从而能够实现IGBT器件和快速恢复二极管的集成。本发明还公开了一种逆导型IGBT半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 igbt 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT半导体器件，逆导型IGBT半导体器件集成有IGBT器件和快速恢复二极管，其特征在于，所述逆导型IGBT半导体器件包括：一具有第一导电类型的场阻断层，形成于第一导电类型的硅基片的背面，所述场阻断层的载流子浓度大于所述硅基片的载流子浓度；所述场阻断层由垂直注入的第一离子注入区和倾斜注入的第二离子注入区组成，所述第一离子注入区和所述第二离子注入区都经过退火激活；沟槽，形成于所述硅基片的背面，所述沟槽的深度小于所述场阻断层的厚度；所述沟槽将所述场阻断层分割成位于各所述沟槽的底部的第一场阻断层、和位于各相邻所述沟槽间的第二场阻断层；所述IGBT器件的集电区由形成于所述第二场阻断层的顶部的第二导电类型的离子注入区组成；所述快速恢复二极管的第一电极区由填充于所述沟槽中的第一导电类型的多晶硅或外延层组成；一背面金属，分别和所述IGBT器件的集电区以及所述快速恢复二极管的第一电极区相连接并作为所述IGBT器件的集电区和所述快速恢复二极管的第一电极区的连接电极。
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