[发明专利]逆导型IGBT半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201210064071.9 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103311270A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆导型IGBT半导体器件，穿通型IGBT器件的集电区由减薄后的硅基片组成，在硅基片的背面形成有沟槽，该沟槽穿过穿通型IGBT器件的集电区并和缓冲层相接触，通过在沟槽中填充第一导电类型的多晶硅或外延层、或在沟槽的底部形成第一导电类型的离子注入区来形成快速恢复二极管的第一电极区。本发明能够实现IGBT器件和快速恢复二极管的集成。本发明还公开了一种逆导型IGBT半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 逆导型 igbt 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种逆导型IGBT半导体器件，逆导型IGBT半导体器件集成有穿通型IGBT器件和快速恢复二极管，其特征在于，所述逆导型IGBT半导体器件包括：具有第一导电类型的缓冲层；具有第二导电类型的所述穿通型IGBT器件的集电区，所述穿通型IGBT器件的集电区由减薄后的第二导电类型硅基片形成；所述缓冲层和所述穿通型IGBT器件的集电区相接触，且所述缓冲层是位于远离所述硅基片的背面表面一侧的所述穿通型IGBT器件的集电区的顶部；沟槽，形成于所述硅基片的背面，所述沟槽穿过所述穿通型IGBT器件的集电区并和所述缓冲层相接触；所述快速恢复二极管的第一电极区的至少部分是由填充于所述沟槽中的第一导电类型的多晶硅或外延层组成，或者所述快速恢复二极管的第一电极区的至少部分是由形成于所述沟槽底部的所述缓冲层表面的第一导电类型的离子注入区组成；一背面金属，分别和所述穿通型IGBT器件的集电区以及所述快速恢复二极管的第一电极区相连接并作为所述穿通型IGBT器件的集电区和所述快速恢复二极管的第一电极区的连接电极。
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