[发明专利]7.6微米前截止红外滤光片及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201210064100.1 申请日: 2012-03-12
公开(公告)号: CN102540313A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 吕晶 申请(专利权)人: 杭州麦乐克电子科技有限公司
主分类号: G02B5/28 分类号: G02B5/28;G02B1/10;B32B9/04;B32B15/00;C23C14/54;C23C14/06;C23C14/14
代理公司: 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人: 唐迅
地址: 310000 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种7.6微米前截止红外滤光片及其制作方法,其特征是:采用尺寸为Φ25.4×1.0mm的单晶锗Ge作基板,其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’,表面光洁度优于60/40;镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge,在单晶锗Ge基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜;第一面薄膜膜系设计采用Sub|2.42(.5HL.5H)83.0(.5HL.5H)7|Air;第二面薄膜膜系设计采用Sub|1.2(.5HL.5H)61.6(.5HL.5H)72.32(.5HL.5H)6|Air;采用的蒸发工艺条件是在真空度≤10-3Pa的真空环境下进行300℃以下的加热烘烤,采用物理气相沉积方式加以离子源辅助镀膜;这种7.6微米的前截止红外滤光片,具备优异的信噪比和很好的抑制背景干扰。能广泛用于远红外物体测温探测。
搜索关键词: 微米 截止 红外 滤光 及其 制作方法
【主权项】:
一种7.6微米前截止红外滤光片,其特征是:(1)采用尺寸为Φ25.4×1.0mm的单晶锗Ge作基板,其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’,表面光洁度优于60/40;(2)镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge,在单晶锗Ge基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜;(3)第一面薄膜膜系设计采用Sub|2.42(0.5HL0.5H)83.0(0.5HL0.5H)7|Air;第二面薄膜膜系设计采用Sub|1.2(0.5HL0.5H)61.6(0.5HL0.5H)72.32(0.5HL0.5H)6|Air;膜系中符号含义分别为:Sub为基板、Air为空气、H为λc/4单晶锗膜层、L为λc/4硫化锌膜层、λc=2μm、结构中数字为膜层的厚度系数、结构中的指数是膜堆镀膜的周期数。
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