[发明专利]一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201210064478.1 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102583227A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张宏海;吕建国;叶志镇;胡亮;杨晓朋;黄俊 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法，该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列，通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列，最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行，重复性高，可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度，可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 三维 同质 pn 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO三维同质pn结纳米阵列，其特征是该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线，分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。
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