[发明专利]一种复相氮化硅陶瓷及其制作方法

摘要

本发明涉及氮化硅陶瓷加工工艺领域，具体的说是一种密度高、硬度强的复相氮化硅陶瓷及其制作方法，按氧化钇2.6wt%、氧化镁1.2wt%、氧化铝4wt%、氧化铜0.2wt%，其余为氮化硅粉的比例取用原料并混合，将混合料经酒精溶剂投入球磨中，混磨48小时后，经过氮气喷雾干燥，制得氮化硅粉体后，将氮化硅粉体与粘结剂按配比混合，经制坯、脱胶、烧结后制得，本发明与现有技术相比，具有操作简便、生产效率高、产品性能稳定等显著的优点。

主权项

一种复相氮化硅陶瓷的制作方法，其特征在于由以下各步骤组成：步骤一：按氧化钇2.6wt%、氧化镁1.2wt%、氧化铝4wt%、氧化铜0.2wt%，其余为氮化硅粉的比例取用原料并混合，将混合料经酒精溶剂投入球磨中，混磨48小时后，经过氮气喷雾干燥，制得氮化硅粉体，步骤二：按氮化硅粉体81%、粘结剂19%的比例取用步骤一所得氮化硅粉体，并将其与粘结剂混合，其中粘结剂由下列各组分按如下配比组成：聚丙烯 40%，聚乙烯55%，硅烷4%，钛酸二乙烯3%，硬脂酸3%，步骤三：将混合后的粉料送入捏合机中混炼，然后在抽塑机中进行颗粒化处理，制得颗粒尺寸为φ3×4mm的颗粒，将颗粒化后的原料在保压时间20秒、温度为180—190℃、注力为140kg/cm2的条件下，经专用注射机注射处理成按加工要求的尺寸形状，得到毛坯，步骤四：对毛坯进行脱胶处理，使用煤油溶剂在50℃热水循环下进行萃取32‑42h或者通过在≤1200℃的真空脱脂炉内，经过温度段为200—300℃2小时、400—600 ℃3小时、1000—1200℃3小时的真空脱脂完成脱胶，步骤五：将脱胶处理后的坯件进行埋料真空烧结处理，在埋料为氮化硼30%，氮化硅60%，氧化镁10%，烧结温度1850℃的条件下，烧结10小时，获得成品。