[发明专利]一种形成前金属介电质层的方法无效
| 申请号： | 201210064638.2 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102610517A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 徐强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成前金属介电质层的方法，其包括：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；沉积一缓冲氧化层；在缓冲氧化层上沉积一具有高压应力的第一蚀刻阻挡层；沉积一具有压应力的第一前金属介电质层；用光刻胶涂覆半导体衬底的PMOS区域，进行光刻后对NMOS区域上方的缓冲氧化层、第一蚀刻阻挡层和第一前金属介电质层进行蚀刻；在半导体器件表面沉积具有高拉应力的第二蚀刻阻挡层；在第二蚀刻阻挡层上沉积具有拉应力的第二前金属介电质层；对第二前金属介电质层进行研磨抛光。采用本方法所形成的前金属介电质层有利于同时提高PMOS以及NMOS的载流子迁移率，从而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 金属 介电质层 方法 | ||
【主权项】：
一种形成前金属介电质层的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一缓冲氧化层；在所述缓冲氧化层上沉积一具有高压应力的第一蚀刻阻挡层；在所述第一蚀刻阻挡层上沉积一具有压应力的第一前金属介电质层；用光刻胶涂覆所述半导体衬底的PMOS区域，进行光刻后对NMOS区域上方的缓冲氧化层、第一蚀刻阻挡层和第一前金属介电质层进行蚀刻；在半导体器件表面沉积具有高拉应力的第二蚀刻阻挡层；在第二蚀刻阻挡层上沉积具有拉应力的第二前金属介电质层；对第二前金属介电质层进行研磨抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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