[发明专利]光接收元件、光接收器件以及光接收模块有效
申请号: | 201210065376.1 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102694055A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 高林和雅 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;G02B6/42 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 刘晓飞;张龙哺 |
地址: | 日本国神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光接收元件、光接收器件以及光接收模块,该光接收元件包括:波导,包括波导核心;多模干涉波导,其具有的宽度大于波导的宽度,多模干涉波导被配置为在第一端处从波导核心接收第一光;以及光电探测部,包括第一半导体层以及置于第一半导体层上的吸收层,第一半导体层至少包括一层且在第二端处从多模干涉波导接收第二光,所述吸收层被置于所述第一半导体层的上方且吸收第二光。从多模干涉波导的第一端到光电探测部的第二端的距离比第一长度的70%长且比第一长度的100%短,第一长度是自成像在多模干涉波导发生之处的长度。 | ||
搜索关键词: | 接收 元件 器件 以及 模块 | ||
【主权项】:
一种光接收元件,包括:波导,包括波导核心;多模干涉波导,具有的宽度大于所述波导的宽度,所述多模干涉波导被配置为在第一端处从所述波导核心接收第一光;以及光电探测部,包括第一半导体层以及置于所述第一半导体层上的吸收层,所述第一半导体层包括至少一层且被配置为在第二端处从所述多模干涉波导接收第二光,所述吸收层被置于所述第一半导体层的上方且被配置为吸收所述第二光,其中,从所述多模干涉波导的所述第一端到所述光电探测部的所述第二端的距离比第一长度的(N‑0.3)×100%长且比所述第一长度的N×100%短,所述第一长度是自成像在所述多模干涉波导中发生之处的最短长度,N为自然数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的