[发明专利]一种混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜有效
| 申请号： | 201210067006.1 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102604280A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 朱红;林爽;匡锡文;王芳辉 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08L27/12;C08K3/22 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 张良 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，该膜以含氟聚合物和混合晶型纳米TiO2混合流延成膜。其中混晶纳米TiO2中两晶型的摩尔组分可以根据反应时间来控制：锐钛矿为36％-45％，金红石为55％-64％；复合介电薄膜质量百分比组成为：混晶纳米TiO2为5％-40％，含氟聚合物为60％-95％。这种复合介电薄膜是具有较高的介电常数，较低的介电损耗的新型介电材料。可以通过控制填料添加比例和填料晶型比例来制备所需介电常数的复合介电薄膜。该复合介电薄膜制备工艺简单、复合温度低且对环境友好，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 无机 纳米 填料 聚合物 复合 薄膜 | ||
【主权项】：
一种混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，其特征在于，所述复合介电薄膜由含氟聚合物和混晶纳米TiO2组成，其质量百分比组成为：混晶纳米TiO25％‑40％，含氟聚合物60％‑95％；所述混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜通由以下方法制得，通过回流法由锐钛矿、金红石两种晶型制备混晶纳米TiO2，将混晶纳米TiO2、含氟聚合物和溶剂N，N‑二甲基甲酰胺混合后，超声搅拌分散均匀，形成稳定的溶胶；流延成膜后干燥，冷却、120±1℃退火，去除残留溶剂，即得混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜。
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