[发明专利]离子注入装置

摘要

本发明提供离子注入装置，其包括质量分离磁铁，即使在伴随基板尺寸的大型化，带状离子束的长度方向的尺寸增大的情况下，与以往的技术相比，该质量分离磁铁的耗电量小、磁极间的磁场分布均匀且尺寸小。离子注入装置包括：离子源，生成带状离子束；质量分离磁铁，具有一对磁极，该一对磁极隔着离子束的主平面相对设置，通过在磁极之间产生的磁场，使离子束的行进方向在离子束的长度方向上偏转；分析狭缝，使包含所希望的离子种类的离子束通过；处理室，配置有基板，通过分析狭缝后的离子束照射到该基板上。在磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过质量分离磁铁内部的离子束的主平面。

主权项

一种离子注入装置，其特征在于包括：离子源，生成在一个方向上长的带状离子束；质量分离磁铁，配置在所述离子源的下游，具有一对磁极，该一对磁极隔着所述离子束的主平面相对设置，所述离子束的主平面位于由所述离子束的长度方向和行进方向定义的平面内，通过在所述磁极之间产生的磁场，使所述离子束的行进方向在所述离子束的长度方向上偏转；分析狭缝，使通过所述质量分离磁铁后的离子束中的、包含所希望的离子种类的离子束通过；以及处理室，配置有基板，通过所述分析狭缝后的离子束照射到所述基板上，其中，在所述磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过所述质量分离磁铁内部的所述离子束的主平面。