[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210067438.2 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103311123A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;任哲;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成第二组硬掩膜层；在第二组硬掩膜层上形成第一组硬掩膜层；光刻/刻蚀第一组硬掩膜层，形成第一组线条；以第一组线条为掩膜，光刻/刻蚀第二组硬掩膜层，形成第二组线条，其中第二组线条宽度小于第一组线条宽度；以第二组线条为掩膜，刻蚀衬底，形成鳍片。依照本发明的半导体器件制造方法，采用多重结构掩膜，以两次侧墙掩蔽来刻蚀图形化，从而获得了小于光刻极限尺寸的纳米线条。工艺简单，精度高，并且兼容性高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成第二组硬掩膜层；在第二组硬掩膜层上形成第一组硬掩膜层；光刻/刻蚀第一组硬掩膜层，形成第一组线条；以第一组线条为掩膜，光刻/刻蚀第二组硬掩膜层，形成第二组线条，其中第二组线条宽度小于第一组线条宽度；以第二组线条为掩膜，刻蚀衬底，形成鳍片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210067438.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自对准金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
- 下一篇：栅极的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
