[发明专利]一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法

摘要

本发明公开了一种电阻型随机存储器的存储单元，包括绝缘衬底、绝缘衬底表面的第一电极、第一电极表面的中间层，以及中间层表面的第二电极，该中间层是由质子酸掺杂在聚西佛碱中亚胺双键(C＝N)的氮原子上而形成的质子酸掺杂的聚西佛碱薄膜构成。与普通聚西佛碱薄膜作为中间层的存储单元相比，本发明采用质子酸掺杂的聚西佛碱薄膜作为中间层，能够有效降低存储单元的功耗、实现存储单元的自整流，并且存储单元阻变过程平缓、无突变，从而达到阻变性质较好的一致性，因此在存储器件领域具有潜在的应用价值。

主权项

1.一种电阻型随机存储器的存储单元，包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面设置中间层，中间层的表面设置第二电极，在第一电极和第二电极之间施加电脉冲时该存储单元具有电阻转变特性，其特征是：所述的中间层由质子酸掺杂的聚西佛碱薄膜形成，其中，质子酸是指能够在无机溶剂或者有机溶剂中电离出氢离子的无机酸或者有机酸，质子酸掺杂的聚西佛碱是指质子酸掺杂在聚西佛碱中亚胺双键(C＝N)的氮原子上，形成具有如下结构式的聚西佛碱：其中，质子与氮原子结合，形成正四价的季铵阳离子，质子酸根以对阴离子形式存在；n为正整数；R₀为氢原子、C1-C20的脂肪或芳香基团，阴离子A为有机或者无机酸根，其中，基本单元X、Y分别为以下结构单元(a)至(m)中的一种或两种以上的组合，其中，A为硝基、磺酸基、磺酸盐、硝基、卤仿基、季胺基，A的取代位置为2，2，2’-或3，3’-；其中，A为硝基、磺酸基、磺酸盐、硝基、卤仿基、季胺基，A的取代位置为2，2，2’-或3，3’-；其中，W为二价基团，W的取代位置可以位于两个羰基的邻位、间位或者对位；R₁和R₂分别为氢原子、脂肪或芳香基团；其中，V为二价基团，V的取代位置为3，3’-，4，4’-，或者3，4’-；R₃和R₄分别为氢原子、脂肪或芳香基团；其中，R₅为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₆和R₇为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₈和R₉为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₀和R₁₁为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₂和R₁₃为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₄为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₆为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，Q为NH、O或者S；R₁₇为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团；其中，R₁₈和R₁₉为氢原子、C1-C40的脂肪或芳香基团。