[发明专利]一种用于GaN生长的复合衬底无效
| 申请号： | 201210068026.0 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103305908A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张国义;孙永健;童玉珍 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 523500 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于GaN生长的复合衬底，包括一熔点大于1000℃的导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，导热导电层与GaN单晶层之间通过范德瓦尔兹力或者柔性介质键合在一起。该复合衬底还可以包括一位于GaN单晶层内部、底部或底面的反射层。本发明的复合衬底既兼顾了GaN外延所需要的同质外延，提高了晶体质量，又可以直接制备垂直结构LED，且因为只使用了薄层GaN单晶，大幅降低了成本，使其在应用中极具优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 gan 生长 复合 衬底 | ||
【主权项】：
一种用于GaN生长的复合衬底，包括一导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，其中所述导热导电层的熔点大于1000℃。
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