[发明专利]增加对单事件翻转的抵抗力的储存电路及方法有效
| 申请号： | 201210068609.3 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102737700A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 米赫·拉伽尼坎特·乔德瑞;维卡斯·钱德拉 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及增加对单事件翻转的抵抗力的储存电路及方法。该储存电路具有第一储存区块，被配置为在至少一种操作模式下执行第一储存功能；以及第二储存区块，被配置为在至少一种操作模式下执行与第一储存功能不同的第二储存功能。配置电路响应于第二储存功能未被使用的预定操作模式，将第二储存区块配置为与第一储存区块并行操作。通过在两个储存区块之一未以其它方式正执行有用功能时并联地布置这两个储存区块，这实际上增加了仍正在执行有用储存功能的储存区块的大小，且因而增加了其对单事件翻转的抵抗力。此种做法有最小的面积及功耗开销，且提供了一种容易用于各种不同的顺序单元设计的小型储存电路。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 事件 翻转 抵抗力 储存 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种储存电路，包含：第一储存区块，所述第一存储区块被配置为在至少一种操作模式下执行第一储存功能；第二储存区块，所述第二存储区块被配置为在至少一种操作模式下执行与所述第一储存功能不同的第二储存功能；及配置电路，所述配置电路被布置为响应于所述第二储存功能未被使用的预定操作模式，将所述第二储存区块配置为与所第一储存区块并行操作，以增加所述第一储存区块在执行所述第一储存功能时对单事件翻转SEU的抵抗力。
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