[发明专利]CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器有效

专利信息
申请号: 201210068724.0 申请日: 2012-03-15
公开(公告)号: CN102595060A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 姚素英;聂凯明;徐江涛;高静;史再峰;王彬;徐新楠 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04N5/365 分类号: H04N5/365;H04N5/3745
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及模拟集成电路设计领域。为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能,扩大TDI技术的应用范围,本发明采取的技术方案是,CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器,包括:两个差分采样电容Cs+和Cs-、全差分运放、两条输入总线、两条输出总线、n+1组积分器,CMOS-TDI图像传感器采用过采样率为(n+1)/n的滚筒式曝光,采样电容Cs+和Cs-的左极板分别连接到像素阵列的列总线上和某个参考电压Vref上,采样电容Cs+和Cs-的右极板分别连接到全差分运放的正、负输入端。本发明主要应用于半导体图像传感器的设计制造。
搜索关键词: cmos 图像传感器 内部 实现 tdi 功能 模拟 累加器
【主权项】:
一种CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器,其特征是,包括:两个差分采样电容Cs+和Cs‑、全差分运放、两条输入总线、两条输出总线、n+1组积分器,CMOS‑TDI图像传感器采用过采样率为(n+1)/n的滚筒式曝光,采样电容Cs+和Cs‑的左极板分别连接到像素阵列的列总线上和某个参考电压Vref上,采样电容Cs+和Cs‑的右极板分别连接到全差分运放的正、负输入端,所述的两条输入总线分别连接到全差分运放的正、负输入端,所述的两条输出总线分别连接到全差分运放的正、负输出端,所述的n+1组积分器分别连接在输入总线与输出总线之间,全差分运放的负输出端与正输入端、正输出端与负输入端之间分别设置有时钟开关clk。
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