[发明专利]一种使用改良坩埚和加热器设计的硅晶体拉制法

摘要

本发明涉及直拉法(CZ法)晶体生长法。指晶体生长的一种方法，用来获取半导体(如硅、锗、砷化镓)、金属(钯、铂、银、金)、盐，或者是合成宝石的单晶。也称切氏或者柴氏法，由波兰科学家切克劳斯基于1916年研究金属的结晶速率时发明的。本发明引入一种新型的横截面非圆形(使用方型或其他形状)坩埚设计，并且给出了一种实现该方法的坩埚加工方法。该非圆周对称坩埚可以降低单晶炉，坩埚，加热器和保温罩的制造成本，提高生长速度，减少拉晶的热能消耗并提高生长的硅晶体质量。

主权项

一种使用横截面为非圆形的坩埚(1)进行直拉法硅晶体(8)生长工艺本权利要求不限于方型(正四边形)坩埚(1)，三角形，长方形及其他多边形坩埚(1)都适用本发明的权利要求。本权利要求不受限于直拉成晶(CZ)技术，使用本发明中描述坩埚(1)，以类似直拉法构造的软轴或者硬轴拉制设备使用各种边缘限定物作籽晶(7)从坩埚(1)上方拉制硅晶体(8)的EFG(边缘限定)方法也适用本权利要求。在本发明所述坩埚(1)内部添加各种构件，或者在坩埚(1)的熔体(9)中悬置旋转或者非旋转的构件，并不形成对本发明的合理规避。也在本发明的权利要求范围之内。本发明中横截面非圆型坩埚(1)的权利要求，并不受限于权利3所述该坩埚(1)是否系二次及多次烧结成型。二次及多次烧结成型旨在于寻求一种可以廉价低成本提供大型形状复杂的非石英陶瓷坩埚(1)的方法。