[发明专利]真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜及制备工艺

摘要

本发明公开一种真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜及制备工艺，目的是解决现有多晶硅薄膜及制备工艺存在的问题。本发明在玻璃衬底上通过铝诱导晶化法得到多晶硅薄膜，薄膜由表面向衬底依次由多晶硅薄膜和铝层组成，薄膜厚度为5µm-10µm、晶化率达到73.2%～89.4%，薄膜理论光电转化率达到8.3%～10.5%。真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜制备工艺步骤如下：1.选择实验原料、衬底和蒸发源的材料；2.衬底除油；3.超声清洗；4.水洗；5.真空蒸镀硅薄膜；6.蒸镀铝膜；7.真空退火；8.铝标准腐蚀液腐蚀9.检测试样性能。本发明具有以下优点：真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜结合力好，纯度高，晶化率和光电转换率较高；工艺简单、效率高、能耗低，适合批量生产。

主权项

一种真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜制备工艺，其特征在于：所述制备工艺，是在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜，工艺步骤如下：⑴选择实验原料、衬底和蒸发源的材料；多晶硅粉末（纯度>99.99%）、铝粉（纯度>99.9%）、丙酮（分析纯）、无水乙醇（分析纯）、标准铝腐蚀液；玻璃；石墨（99.7%）；⑵衬底除油；⑶超声清洗衬底；⑷水洗衬底：去离子水清洗衬底，烘干衬底；⑸一次蒸发沉积：多晶硅粉末（g）：0.2～0.6、真空度（Pa）：4.5×10‑3～7.5×10‑3、衬底温度（℃）：300～500，基板距离（cm）：5～15；⑹二次蒸发沉积：多晶硅粉末（g）：0.1～0.2、真空度（Pa）：4.5×10‑3～7.5×10‑3、衬底温度（℃）：300～500，基板距离（cm）：5～15；⑺蒸发镀铝膜：铝粉（g）：0.1～0.3、真空度（Pa）： 4.5×10‑3～7.5×10‑3、衬底温度（℃）：400，基板距离（cm）：5；⑻真空退火：真空度（Pa）：3×10‑2～5×10‑2、退火温度（℃）：450～650、退火时间（h）：2～4。