[发明专利]半导体元件无效
| 申请号： | 201210069986.9 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102694010A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 斋藤涉;小野升太郎;仲敏行;谷内俊治;渡边美穗;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体元件，包括：第1导电型的第1半导体层；第1导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层的第1沟槽内；含有SixGe1-x或SixGeyC1-x-y的第2导电型的第3半导体层，被设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层且隔着上述第2半导体层与上述第1沟槽邻接的第2沟槽内；第1主电极，与上述第1半导体层连接；以及第2主电极，与上述第3半导体层连接。上述第2半导体层的杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其中，包括：第1导电型的第1半导体层；第1导电型的第2半导体层，设置在上述第1半导体层上，杂质浓度高于上述第1半导体层的杂质浓度；控制电极，隔着绝缘膜设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层的第1沟槽内；含有SixGe1‑x或SixGeyC1‑x‑y的第2导电型的第3半导体层，被设置在从上述第2半导体层的表面到达上述第1半导体层且隔着上述第2半导体层与上述第1沟槽邻接的第2沟槽内；第1主电极，与上述第1半导体层电连接；以及第2主电极，与上述第3半导体层连接。
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