[发明专利]一种测量半导体巴条激光器近场非线性效应的方法

摘要

本发明涉及一种测量半导体巴条激光器近场非线性效应的方法，半导体激光器巴条发出的光通过柱透镜的作用，将光打远放大，随后通过调整单个半导体激光器管芯的位置，使每个导体激光器管芯发射出来的光达到同一直线上，通过分别记录调整每个导体激光器管芯的上、下位移尺寸，绘制出半导体激光器巴条的发光区形状，从而测量出巴条的近场非线性效应。

主权项

一种测量半导体巴条激光器近场非线性效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将半导体激光器巴条固定到调节架上，所述调节架具有上、下、左、右和平面旋转五维调节功能，对固定在上面的半导体激光器巴条按上、下、左、右和平面旋转五维调节，并且在上、下调节方向上的可读精度为微米；(2)在半导体激光器巴条发光区前端放置柱透镜，调节半导体激光器巴条的位置，使其发出来的光经过柱透镜作用后呈快轴直线型；(3)在半导体激光器巴条出光方向上放置接收屏，在接收屏上且与半导体激光器巴条等高的位置划水平直线；(4)调节半导体激光器巴条的上、下位置，分别使半导体激光器巴条中的每个半导体激光器所发出的光斑打到接收屏的直线上，同时记录调节架所读出的上下尺寸刻度；(5)绘制半导体激光器巴条的近场线型：以半导体激光器巴条中每个半导体激光器的直线排列位置为横坐标，以每个半导体激光器所发出的光斑到达接收屏上的直线时上下调节高度为纵坐标，将步骤(4)中所记录的上下尺寸刻度绘制在上述的坐标系中，绘制成曲线，得到半导体激光器巴条的近场线型，得出该半导体巴条激光器的近场非线性效应。