[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201210070818.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102693947A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 平野嵩明 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/58;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曲莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 这里公开了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：第一叠层，所述第一叠层具有在基底上形成的配线层；第二叠层，所述第二叠层具有在基底上形成的配线层，所述第二叠层的主表面被接合到所述第一叠层的主表面；功能元件，所述功能元件布置在所述第一叠层和所述第二叠层中的至少一个中；和气隙，所述气隙贯穿所述第一叠层和所述第二叠层的交界部，当从与所述第一叠层和所述第二叠层的主表面垂直的方向上观察时，所述气隙被布置于在所述第一叠层和所述第二叠层中的至少一个中的包括所述功能元件的电路形成区域的外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一叠层，所述第一叠层具有在基底上形成的配线层；第二叠层，所述第二叠层具有在基底上形成的配线层，所述第二叠层的主表面被接合到所述第一叠层的主表面；功能元件，所述功能元件布置在所述第一叠层和所述第二叠层中的至少一个中；和气隙，所述气隙贯穿所述第一叠层和所述第二叠层的交界部，当从与所述第一叠层和所述第二叠层的主表面垂直的方向上观察时，所述气隙被布置于在所述第一叠层和所述第二叠层中的至少一个中的包括所述功能元件的电路形成区域的外侧。
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