[发明专利]一种对晶圆表面进行处理的方法无效
| 申请号： | 201210070912.7 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103311094A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 袁婷婷;陈晓娟;魏珂;刘新宇;李滨 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对晶圆表面进行处理的方法，该方法是在欧姆接触合金后采用紫外臭氧清洗系统(UVOCS)对晶圆表面进行紫外线及臭氧(UV/Ozone)表面处理，即采用低压石英汞灯产生254nm和185nm范围的紫外线及臭氧对晶圆表面进行30分钟的UV/Ozone表面处理。利用本发明，降低了晶圆表面在工艺过程中引入的有机污染物或碳污染物的表面处理方法，在欧姆接触合金后采用UV/Ozone表面处理使得欧姆接触电学特性大大改善，I-V特性曲线更加陡直，达到饱和电流所对应的电压减小，并且电流的对称性得到很好改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 进行 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种对晶圆表面进行处理的方法，其特征在于，该方法是在欧姆接触合金后采用紫外臭氧清洗系统对晶圆表面进行紫外线及臭氧表面处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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