[发明专利]半导体检测电路及检测方法有效
| 申请号： | 201210071313.7 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103308772A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/14 | 分类号： | G01R27/14;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体检测电路及检测方法，所述检测电路包括：电流输入端和电流输出端；位于所述电流输入端和电流输出端之间的两条串联电路，所述两条串联电路之间并联连接；每一个串联电路包括一个待检测MOS晶体管和一个参考MOS晶体管；其中一条串联电路通过待检测MOS晶体管与电流输入端相连接，另一条串联电路通过参考MOS晶体管与电流输入端相连接；所述待检测MOS晶体管的沟道区具有应力作用，所述参考MOS晶体管的沟道区不具有应力作用。在检测时，在所述电流输入端和电流输出端之间施加电流，通过测得所述两条串联电路中位于待检测器件和参考器件之间的电压差，获得不同应变硅技术对待检测器件的电学参数的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体检测电路，其特征在于，包括：两个待检测MOS晶体管，两个参考MOS晶体管，电流输入端和电流输出端；位于所述电流输入端和电流输出端之间的两条串联电路，所述两条串联电路之间并联连接；每一个串联电路包括一个待检测MOS晶体管和一个参考MOS晶体管，所述待检测MOS晶体管和参考MOS晶体管通过源/漏区相连接；其中一条串联电路通过待检测MOS晶体管的源区或漏区与电流输入端相连接，另一条串联电路通过参考MOS晶体管的源区或漏区与电流输入端相连接；所述待检测MOS晶体管的沟道区具有应力作用，所述参考MOS晶体管的沟道区不具有应力作用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210071313.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：裂变中子转换器
- 下一篇：单蓝A作为蛋白质预染色剂的用途
