[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201210071400.2 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103022098A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 大田刚志;三须伸一郎;新井雅俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式涉及的半导体器件具备：衬底；第1导通部；第2导通部；半导体部；第1电极部；第2电极部；第1绝缘部；及第2绝缘部。第1导通部在Z轴方向上延伸。第2导通部在Z轴方向上延伸，沿着X轴方向与第1导通部分离。半导体部设置在第1导通部和第2导通部之间。第1电极部在第1导通部和第2导通部之间于Z轴方向上延伸。第2电极部在第1电极部和第2导通部之间于Z轴方向延伸，与第1电极部分离。第1绝缘部设置在第1电极部和半导体部之间，在第1电极部的边界面的法线方向上具有第1厚度。第2绝缘部设置在第2电极部和半导体部之间，在第2电极部的边界面的法线方向上具有比第1厚度还厚的第2厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
半导体器件，其特征在于，具备：衬底；第1导通部，在与上述衬底的主面正交的第1方向上延伸；第2导通部，在上述第1方向上延伸，沿着与上述第1方向正交的第2方向而与上述第1导通部分离设置；半导体部，设置在上述第1导通部和上述第2导通部之间，包括基于第1杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域；第1电极部，在上述第1导通部和上述第2导通部之间于上述第1方向延伸；第2电极部，在上述第1电极部和上述第2导通部之间于上述第1方向延伸，与上述第1电极部分离设置；第1绝缘部，设置在上述第1电极部和上述半导体部之间，在上述第1电极部的边界面的法线方向上具有第1厚度；及第2绝缘部，设置在上述第2电极部和上述半导体部之间，在上述第2电极部的边界面的法线方向上具有比上述第1厚度还厚的第2厚度。
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