[发明专利]FinFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210071713.8 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103050530A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;王昭雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件以及制造半导体器件的方法，涉及FinFET器件及其制造方法。示例性半导体器件包括衬底，其包括设置在衬底上方的鳍结构，鳍结构包括一个或多个鳍。半导体器件还包括介电层，设置在鳍结构的中心部分上，并横跨一个或多个鳍的每一个。半导体器件还包括功函金属，设置在介电层上兵横跨一个或多个鳍的每一个。半导体器件还包括应变材料，设置在功函金属上并夹置在一个或多个鳍的每一个之间。半导体器件包括信号金属，设置在功函金属和应变材料的上方，并横跨一个或多个鳍的每一个。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括设置在所述衬底上方的鳍结构，所述鳍结构包括一个或多个鳍；绝缘材料，设置在所述衬底上，并形成在所述一个或多个鳍的每一个之间的区域中；介电层，横跨所述一个或多个鳍的每一个并形成在所述一个或多个鳍的每一个之间的区域中的绝缘材料上；功函金属，横跨所述一个或多个鳍的每一个并形成在所述一个或多个鳍的每一个之间的区域中的所述介电层上；应变材料，设置在所述一个或多个鳍的每一个之间的区域中的所述功函金属上；以及信号金属，横跨所述一个或多个鳍的每一个并形成在所述功函金属和所述应变材料上。
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