[发明专利]SOI衬底的形成方法无效
| 申请号： | 201210071755.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103311172A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SOI衬底的形成方法，包括：提供第一基片和第二基片，在所述第一基片表面形成锗硅层；在所述锗硅层表面形成顶层硅层；在所述顶层硅层的第二表面形成第一绝缘层；利用离子注入工艺使得所述锗硅层或第一基片内形成离子注入层；将所述第二基片与所述第一绝缘层进行粘合；对所述第一基片、锗硅层进行第一退火处理，使得所述锗硅层或第一基片在离子注入层的位置发生开裂；除去所述顶层硅层表面的锗硅层和/或所述锗硅层表面的部分第一基片，形成SOI衬底。由于所述离子注入层的位置位于所述第一基片或锗硅层内，不位于所述顶层硅层内，所述第一基片或锗硅层开裂对所述顶层硅层的厚度不会产生影响，使得所述顶层硅层的厚度容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI衬底的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基片和第二基片，在所述第一基片表面形成锗硅层；在所述锗硅层表面形成顶层硅层，所述顶层硅层具有第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，所述顶层硅层的第一表面与所述锗硅层相接触；在所述顶层硅层的第二表面形成第一绝缘层；利用离子注入工艺使得所述锗硅层或第一基片内形成离子注入层；将所述第二基片与所述第一绝缘层进行粘合；对所述第一基片、锗硅层进行第一退火处理，使得所述锗硅层或第一基片在离子注入层的位置发生开裂；除去所述顶层硅层表面的锗硅层和/或所述锗硅层表面的部分第一基片，直到暴露出所述顶层硅层的第一表面，形成SOI衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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