[发明专利]感光成像装置、半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201210071907.8 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102569328A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王志玮;毛剑宏;韩凤芹;张镭;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法及感光成像装置，所述半导体器件的制作方法，包括：提供形成在第一衬底上的第一器件层与形成在第二衬底上的连续的第二器件层，所述第一器件层的表面形成有导电的顶层焊垫层，所述连续的第二器件层的表面形成有连续的导电粘附层；将所述第一器件层键合到所述连续的第二器件层，其中所述第一器件层表面的顶层焊垫层直接焊接在所述第二器件层表面的导电粘附层；去除所述第二衬底；选择性刻蚀所述连续的第二器件层和连续的导电粘附层，以形成沟槽阵列；用绝缘材质填充所述沟槽阵列，以形成多个彼此绝缘隔离的第二器件。利用上述方法形成的半导体器件，能够明显提高第一器件层与第二器件层的对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 感光 成像 装置 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供形成在第一衬底上的第一器件层与形成在第二衬底上的连续的第二器件层，所述第一器件层的表面形成有导电的顶层焊垫层，所述连续的第二器件层的表面形成有连续的导电粘附层；将所述第一器件层键合到所述连续的第二器件层，其中所述第一器件层表面的顶层焊垫层直接焊接在所述第二器件层表面的导电粘附层，实现所述第一器件层与所述第二器件层的电学连接；去除所述第二衬底；选择性刻蚀所述连续的第二器件层和连续的导电粘附层，以形成沟槽阵列；用绝缘材质填充所述沟槽阵列，以形成多个彼此绝缘隔离的第二器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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