[发明专利]快速加热处理系统及其硫化方法无效
| 申请号： | 201210072588.2 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103132023A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李适维;林明弘;蔡耀仓 | 申请（专利权）人： | 绿阳光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速加热处理系统，包括快速加热处理炉、背电极基板及遮盖。背电极基板设置在快速加热处理炉的反应室内且形成有前趋物层及硒物质，硒物质形成在前趋物层上。遮盖设置在对应背电极基板的硒物质的位置上且形成有与硒物质彼此相对的固态硫。固态硫在吸收快速加热处理炉的加热装置所产生的热能后，与硒物质及前趋物层反应以形成光电转换层。本发明利用将沉积有固态硫的遮盖与沉积有硒物质及前趋物层的背电极基板彼此相对且使用快速加热处理方式进行快速加热的设计，以产生具有较低制程温度且较短反应时间的硫化制程。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 加热 处理 系统 及其 硫化 方法 | ||
【主权项】：
一种快速加热处理系统，其特征在于，所述快速加热处理系统包括：一快速加热处理炉，包括：一反应室；及一加热装置，用来产生热能；一背电极基板，设置在所述反应室内且形成有一前趋物层及一硒物质，所述硒物质形成在所述前趋物层上；及一遮盖，设置在对应所述背电极基板的所述硒物质的位置上且形成有一固态硫，以使所述固态硫与所述硒物质彼此相对，所述固态硫在吸收所述加热装置所产生的热能后，与所述硒物质及所述前趋物层反应，以形成一光电转换层。
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