[发明专利]磁隧道结器件、电子系统以及存储系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201210072710.6 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102683580A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 朴正宪;吴世忠;金佑填;朴相奂;李将银;林佑昶 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 器件 电子 系统 以及 存储系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁隧道结器件，包括：固定磁结构；自由磁结构；以及在所述固定磁结构与所述自由磁结构之间的隧道势垒，所述固定磁结构和所述自由磁结构的至少之一包括：垂直磁化保存层，在所述垂直磁化保存层与所述隧道势垒之间的磁性层，以及在所述垂直磁化保存层和所述磁性层之间的垂直磁化诱导层。
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