[发明专利]一种双极结型晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201210073609.2 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102881588A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 郑志星 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极结型晶体管（BJT）的制作方法，包括：在半导体衬底内制作收集区，该半导体衬底具有第一掺杂类型；制作具有第二掺杂类型的基区，该基区具有基区深度；以及制作具有第一掺杂类型的发射区；其中通过调节基区的布局宽度来控制基区深度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双极结型 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双极结型晶体管（BJT）的制作方法，包括：在半导体衬底内制作收集区，该半导体衬底具有第一掺杂类型；制作具有第二掺杂类型的基区，该基区具有基区深度；以及制作具有第一掺杂类型的发射区；其中通过调节基区的布局宽度来控制基区深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
