[发明专利]成膜方法及溅射装置无效
| 申请号： | 201210074252.X | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103320754A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 川又由雄;宇都宫信明;伊藤昭彦 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;李雪春 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明可利用溅射法形成不连续被膜。一种在真空槽内使衬底和靶相对，通过溅射法在前述衬底上进行成膜处理的成膜方法，将前述靶的表面温度控制为与常温相比成为规定温度以上，与未使前述靶的表面温度成为规定温度时相比，在前述衬底上形成高电阻的被膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，是在真空槽内使衬底和靶相对，通过溅射法在前述衬底上成膜的成膜方法，其特征在于，将前述靶的表面温度控制为比常温高的规定温度，与未使前述靶的表面温度成为前述规定温度时相比，在前述衬底上形成高电阻的被膜。
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