[发明专利]一种MOCVD新反应系统无效
| 申请号： | 201210074351.8 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103205731A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 孙明;庄文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏汉莱科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOCVD新反应系统，本系统是从结构上对传统MOCVD进行了改进，把传统的反应腔及传送箱改成了倒置圆柱形反应腔、与倒置圆柱形反应腔匹配的传送腔跟待送腔，并对反应腔内核心技术进行了改进，使其不但节约了垒晶所用的原料，更改善了MOCVD垒晶的均匀性，提高了垒晶质量，并且解决了传统MOCVD制备芯片尺寸及产率低、良率低的局限性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 反应 系统 | ||
【主权项】：
一种MOCVD反应系统，其特征在于本MOCVD反应系统把传统的反应腔、传送箱改制成倒置圆柱形反应腔、与倒置圆柱形反应腔匹配的传送腔与待送腔。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
