[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201210074692.5 | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN102738343A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 杉森畅尚 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/42 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在半导体发光功能层的一个面上形成2个电极的结构的发光元件中,得到高发光效率,并且在面内得到均匀的发光强度。在发光元件(10)中,(1)n侧触点开口(第1开口部)(42)和p侧触点开口(第2开口部)(41)分别沿着与矩形中对置的2边(上边、下边)平行延伸的2条直线形成,(2)在这2条直线之间,形成多个沿与这2条直线垂直的方向延伸的透明电极(30)之间的空隙(透明电极开口部(31)),由此,进行电流的均匀化而不增加遮光面积,实现了发光的均匀化。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种发光元件,其使用在具有第1导电类型的第1半导体层上形成具有第2导电类型的第2半导体层而成的半导体发光功能层,其中,该第2导电类型是与所述第1导电类型相反的导电类型,在所述半导体发光功能层中的形成有所述第2半导体层的一侧的主面上具有:与所述第2半导体层直接接触的透明电极、形成于该透明电极上的绝缘层、形成于该绝缘层上且在设于前記绝缘层中的第1开口部中与所述第1半导体层直接接触的第1电极层、以及形成于所述绝缘层上且在设于所述绝缘层中的第2开口部中与所述透明电极直接接触的第2电极层,该发光元件俯视观察为大致矩形形状,该发光元件的特征在于,所述第1开口部和所述第2开口部具有分别沿着与所述大致矩形形状的对置的2边平行延伸的2条直线形成的部分,在所述透明电极中,在所述2条直线之间形成有在与所述2条直线垂直的方向上延伸的多个透明电极开口部。
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