[发明专利]在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法，将经过清洗的玻璃基片放入气相沉积反应室；先驱体有机锡源和有机氟源用氮气作载气，催化剂H2O用空气做载气，分别在鼓泡器中气化后通入混气室；将得到的混合反应气通入镀膜反应器中输送到玻璃基板上，控制镀膜反应器喷气口与玻璃表面的距离为2～5毫米，有机气源中Sn:F质量比例为2:1-3:1，在玻璃基片表面沉积5-30s，冷却即可。本发明制备工艺简单，使用设备简单，对环境无污染，成本低廉，效率高，耗能低，适合浮法在线生产大面积透明导电膜；制得的呈微纳结构的氧化锡掺氟薄膜，具有更好的可见光透过率，中远红外反射率。

主权项

在玻璃基板上生长微纳结构氧化锡掺氟薄膜的方法，其特征是包括以下步骤：1）将经过清洗的玻璃基片放入气相沉积反应室，常压下，将反应室加热至500～650℃；2）先驱体有机锡源和有机氟源用氮气作载气，催化剂H2O用空气做载气，分别在鼓泡器中气化后通入混气室，得到混合反应气；3）将上述混合反应气通入镀膜反应器中输送到气相沉积反应室的玻璃基板上，控制镀膜反应器喷气口与玻璃表面的距离为2～5毫米，有机气源中Sn:F质量比例为2:1‑3:1，气体总量4L/min‑5L/min，在500‑650℃的温度条件下在玻璃基片表面进行沉积，沉积5‑30s后，停止通入气体，冷却即可。