[发明专利]半导体存储装置及其测试电路有效

专利信息
申请号: 201210075525.2 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN103093828B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 李宰雄 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C29/04 分类号: G11C29/04
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 俞波,郭放
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种半导体存储装置,包括存储器单元阵列,所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器单元;开关单元,所述开关单元被配置成与数据输入和输出焊盘耦接,且响应于测试模式信号来控制施加至所述数据输入和输出焊盘的数据的数据传输路径;写入驱动器,所述写入驱动器被配置成在正常模式下驱动从开关单元传送的数据,并将数据写入存储器单元阵列中;以及控制器,所述控制器被配置成在测试模式下将来自开关单元的数据传送至存储器单元。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 测试 电路
【主权项】:
一种半导体存储装置,包括:存储器单元阵列,所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储器单元;开关单元,所述开关单元被配置成经由数据输入缓冲器而与数据输入和输出焊盘耦接,且响应于测试模式信号来控制施加至所述数据输入缓冲器的数据的数据传输路径;写入驱动器,所述写入驱动器被配置成在正常模式下驱动从所述开关单元传送的数据,并将所述数据写入所述存储器单元阵列中;以及控制器,所述控制器被配置成在测试模式下将来自所述开关单元的数据直接传送至所述存储器单元,其中,所述存储器单元阵列和所述控制器被配置成通过第一局部输入和输出线而直接耦接,所述第一局部输入和输出线经由第一开关连接至所述存储器单元的位线。
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