[发明专利]一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法有效
| 申请号： | 201210075810.4 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102593006A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 金智;陈娇;麻芃;王显泰;潘洪亮;郭建楠;彭松昂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的掩膜金属层。本发明采用金属掩膜，实现光刻胶与碳基材料的隔离，最大程度的减小残余光刻胶对碳基材料与金属接触的影响，从而有效的增加了碳基FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 金属 基材 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】：
一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，其特征在于，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的掩膜金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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