[发明专利]开关及使用了该开关的开关电路有效
| 申请号： | 201210076091.8 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102694533A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 山田光一 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种开关及使用了该开关的开关电路。在第4n沟道MOSFET(Mn4)中，连接了源极端子与背栅端子之间。开关元件连接在第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子和地电位之间，且在第4n沟道MOSFET(Mn4)截止时将第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子设为地电位。保护电路(40)设置在第4n沟道MOSFET(Mn4)的源极端子与上述开关元件的输入端子的连接点、和地电位之间，使因静电放电引起的从第4n沟道MOSFET(Mn4)的漏极端子流入的负电流流向地电位。因此，能够从在开关用晶体管中产生的经由寄生二极管流入内部的因ESD引起的负电流中保护内部电路。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 使用 开关电路 | ||
【主权项】：
一种开关，其对在正负侧具有振幅的信号进行开关控制，该开关的特征在于具备：第1晶体管，其连接了源极端子和背栅端子之间；开关元件，其连接在所述第1晶体管的源极端子与地电位之间，且用于在所述第1晶体管截止时将所述第1晶体管的源极端子设为地电位；和保护电路，其设置在连接点和地电位之间，使因静电放电引起的从所述第1晶体管的漏极端子流入的负电流流向地电位，其中该连接点是所述第1晶体管的源极端子与所述开关元件的输入端子之间的连接点。
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