[发明专利]发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210076282.4 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102593305A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 林祖伦;宋科田;祁康成;曹贵川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构及其制备方法。发光二极管表面金属周期性亚波长结构，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周期性亚波长结构从下到上依次包括了隔离层、纳米金属点阵层和保护层，所述隔离层贴附在P型GaN层之上，所述隔离层SiNx增透膜，所述保护层为SiO2或SiNx或ZnO保护膜，所述纳米金属点阵层为金属纳米点阵，所述纳米点的直径为50～100nm，纳米点间距为250～500nm，点阵周期为350～500nm，纳米点的厚度为100～300nm。本发明的有益效果是：通过表面非光滑结构减少全反射，可大幅度提高外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 表面 金属 周期性 波长 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
发光二极管表面金属周期性亚波长结构，其特征在于，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周期性亚波长结构从下到上依次包括了隔离层、纳米金属点阵层和保护层，所述隔离层贴附在P型GaN层之上，所述隔离层为厚度为20～30nm的SiNx增透膜，所述保护层为厚度为15～25nm的SiO2或SiNx或ZnO保护膜，所述纳米金属点阵层为金属纳米点阵，所述纳米点的直径为50～100nm，纳米点间距为250～500nm，点阵周期为350～500nm，纳米点的厚度为100～300nm。
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