[发明专利]存储器元件的增进擦除并且避免过度擦除的方法

摘要

本发明涉及存储器元件的增进擦除并且避免过度擦除的方法，且此方法可以避免存储器元件发生过度擦除的问题。此方法包括多数个步骤，且在进行程序化/擦除周期前，可先进行这些步骤，以对存储器元件进行预调适。此方法包括进行一个穿隧程序的步骤，以在进行程序化/擦除周期前，增加非易失性存储器元件的阈值电压值，其例如Fowler-Nordheim穿隧程序。特别是，此方法可应用具有氮化硅只读存储器元件的非易失性存储器元件中。此方法可以减少或是完全解决非易失性存储器元件的过度擦除的问题。另外，本发明还涉及在预调适步骤中存储器元件的增进擦除并且避免过度擦除的结构一并揭露的。

主权项

一种存储器元件的增进擦除的方法，且该存储器元件包括一具有定域化捕捉电荷的存储器元件结构，其特征在于，该方法包括：提供一存储器元件，且该存储器元件具有一特定的阈值电压值；于进行一程序化/擦除周期之前，执行一程序，以增加该存储器元件的该特定的阈值电压值；以及进行该程序化/擦除周期，该程序化/擦除周期包括程序化周期、擦除周期与程序化的过程中的一个或多个，其中该程序化的过程包括在写入进行之后会进行读取。