[发明专利]一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te相变存储材料有效
| 申请号： | 201210076528.8 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102569652A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴良才;朱敏;宋志棠;饶峰;宋三年;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备和应用。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sb te ti 相变 存储 材料 sub | ||
【主权项】：
一种用于相变存储器的Sb‑Te‑Ti相变存储材料，为在Sb‑Te相变存储材料中掺入Ti而成，其化学通式为SbxTeyTi100‑x‑y，其中0＜x＜80，0＜y＜100‑x。
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