[发明专利]一种P型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210077101.X | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102605340A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王莉;王祥安;卢敏;赵兴志;于永强;揭建胜;胡继刚;朱志峰;张彦;李强 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料及其制备方法，本发明采用化学气相沉积法和气-液-固生长机制，在合成过程中原位掺杂Ag、Cu、N、P等元素进行p型掺杂制备p型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料，通过调节蒸有10nm金薄膜的硅片的位置，可以得到不同组分的ZnxCd1-xS纳米材料。本发明P型掺杂ZnxCd1-xS纳米材料具有成分可调，电导率可控的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 zn sub cd 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型掺杂ZnxCd1‑xS纳米材料，其特征在于：0＜x＜1；P型掺杂的掺杂源选自Ag2S、Cu2S、NH3、PH3中的一种或几种。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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